Задать вопрос
Вы можете уточнить интересующие вопросы любым удобным для Вас способом
VK
Telegram
Mail
WhatsApp

Как зависит сопротивление полупроводников от температуры?

Лабораторная по физике.
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
  1. Провести исследование зависимости сопротивления полупроводника от температуры.
  2. Определить энергию активации.
ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ.
Зависимость сопротивления полупроводников от температуры положена в основу работы многих технических устройств. Полупроводниковый прибор, в котором используется зависимость электрического сопротивления от температуры, называется термистором (терморезистором, термо-сопротивлением). Главные параметры термисторов – диапазон рабочих температур и температурный коэффициент сопротивления. Различают термисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления и с положительным коэффициентом сопротивления (позисторы). Диапазон рабочих температур большинства термисторов лежит в пределах 200-400 K.
Для изготовления термисторов используют смеси окислов металлов, германий, кремний, карбид кремния, синтетический алмаз, твёрдые растворы на основе титаната бария (легированные лантаном, церием, висмутом), органические полупроводники и т. д. Термисторы выпускают в виде стержней, трубок, дисков, шайб, бусинок. Размеры их варьируют от нескольких микрометров до нескольких сантиметров. Термисторы применяются для регистрации изменения температуры в системах дистанционного измерения и регулирования температуры, противопожарной сигнализации и теплового контроля, температурной компенсации различных элементов электрической цепи, измерения скорости движения жидкостей и газов, измерения вакуума, мощности и др.
Полупроводники – это широкий класс веществ, характеризующийся значениями удельного сопротивления r, промежуточными между удельным сопротивлением металлов (r~10-8¸10-6 Ом×м) и хороших диэлектриков (r~10-12¸10-14 Ом×м). Характерной особенностью полупроводников, отличающих их от металлов, является уменьшение их сопротивления с ростом температуры. В широком интервале температур сопротивление полупроводников изменяется по закону:
R = A*Exp(Eg/2kT) (27)
где Eg – энергия активации или ширина запрещённой зоны, её значение может быть равным от сотых долей электрон вольт (эВ) до 2-3 эВ; А – коэффициент слабо зависящий от температуры, k – постоянная Больцмана.
Формула (27) показывает, что для валентных электронов в полупроводнике энергия связи с атомами порядка Eg. С увеличением температуры часть электронов, пропорциональная Exp(Eg/2kT), становится свободной и участвует в создании тока проводимости. Связь электронов с атомами может быть разорвана и другими воздействиями на них: электрическим полем, облучением светом или более жёстким электромагнитным излучением.
Все полупроводники можно разбить на две группы:
1. чистые (собственные, беспримесные или полупроводники i-типа) – это полупроводники, состоящие из атомов одного сорта;
2. примесные (легированные) – в них часть атомов собственного полупроводника заменяется на атомы другого вещества (полупроводника).
ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
Схема установки и порядок проведения эксперимента те же, как и в работе. Сопротивление полупроводника измеряется здесь с помощью осциллографа С1-112
Рисунок 1.
ВЫПОЛНЕНИЕ РАБОТЫ
1.Проведём измерения сопротивления металлического проводника при комнатной температуре и выше через 4-5 градусов. Результаты измерений представлены в таблице 2.

Таблица 2.

 t °С

 RП/Пн, Ом

  RП/Похл, Ом

1/T

 LnRП/Пн

  LnRП/Похл

1

25

1,256

1,179

0,003355705

0,22793207

0,16466662

2

30

1,185

1,03

0,00330033

0,16974277

0,0295588

3

35

1,05

0,9

0,003246753

0,04879016

-0,10536052

4

40

0,925

0,765

0,003194888

-0,0779615

-0,26787945

5

45

0,8

0,615

0,003144654

-0,2231436

-0,48613301

6

50

0,715

0,515

0,003095975

-0,3354727

-0,66358838

7

55

0,625

0,475

0,00304878

-0,4700036

-0,74444047

8

60

0,555

0,436

0,003003003

-0,5887872

-0,83011304

9

65

0,495

0,465

0,00295858

-0,7031975

-0,76571787

По экспериментальным данным строим график зависимости откладывая по всем осям значения LnR и 1/T. Линейный характер полученной зависимости свидетельствует об экспоненциальном законе спадения сопротивления с увеличением температуры.
Рисунок 3. Зависимость сопротивления от температуры.
2.Значение энергии Eg определим из формулы (27), логарифмируя её:
LnR = LnA + Eg/2kT
Вводим новые переменные:
LnR = y, 1/T=x, lnA=b, Eg/2kT = a.
Получим зависимость: y = a*x + b
Находим значение а:
(-7,9221-8,8926)/2= - 8,40735
Определяем значение энергии активации:
Eg = 2kT*a = - 8,40735*2*273*1.38*10-23= -6.633477* 10-20 Дж = -0.4 эВ.
Вывод: значение энергии активации составляет 0,4 эВ.
Файл с решением:
https://t.me/smys_l/108

Заявка на услуги
Укажите наиболее удобный для ВАС способ связи
и с Вами свяжутся в ближайшее время
Загрузить свой файл
Нажимая на кнопку, Вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с Условиями.
Made on
Tilda